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天虹、京鼎積極卡位!ALD是什麼?為何成為奈米大戰決勝關鍵? 半導體業者指出,傳統CVD與PVD(物理氣相沉積)在3D結構上均有限制。相較之下,ALD透過前驅物(precursor)與晶圓表面逐層反應,反覆循環形成完整薄膜,具備絕佳的「包覆性」與「均勻性」。 雖然沉積速度較慢,但在奈米甚至埃米等級結構中,展現無可取代的優勢🔥🔥 https://www.ctee.com.tw/news/20251003700187-430501?fbclid=IwdGRjcANL_aRjbGNrA0v9gmV4dG4DYWVtAjExAAEeftmWVdpTAROYWw1VgqKCWVNLuL3MNnSZhYmjHCcpAmujFlscPw2kU7Uycwc_aem_qnRldNWRxhqHB8cTskxBTg

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