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SK海力士目標最快在2026年導入High-NA EUV設備，但「High-NA EUV用光罩」開發是目前主要課題。 在High-NA EUV製程中，由於光線以更廣的角度擴散，會產生入射角和反射角重疊的問題，業界為此設計出使光線不重疊的變形（Anamorphic）技術。 然而變形技術須使用2個光罩，但使用2個光罩的過程中，會產生兩個拼接（Stiching）曝光區域接觸、重疊的問題。朴義相指出，控制拼接區域相當困難，SK海力士尚未開發出High-NA EUV用的光罩，正持續嘗試中。