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官股投顧報告目標價130調升為185 矽中介層產能倍增 打入高通供應鏈 除了成熟製程之外，法人認為，聯電在先進封裝（2.5D/3D）領域，同樣取得突破性進展，將採用55奈米的矽中介層（Silicon Interposer）產能，由3,000片擴增至6,000 片，目前已擁有超過10家活躍客戶，洽談中的tape-out專案（指將設計完成的晶片方案，交給晶圓代工廠生產樣品）超過35個。 報告還提到，聯電也配合輝達（NVIDIA）晶片與日月光(3771)等封測大廠，順利切入台積電(2330)CoWoS以外的先進封裝供應鏈；同時，其高密度深溝槽電容（DTC）技術，已成功打入高通（Qualcomm）供應鏈並量產出貨，搶搭邊緣AI成長列車。 展望中長期發展，聯電積極布局次世代傳輸與製造技術，已成功交付首批12吋矽光子量產晶圓，並結盟SILITH與HyperLight加速薄膜鈮酸鋰（TFLN）光子平台商業化。 官股投顧看好聯電透過特殊製程高值化、先進封裝產能擴張，以及矽光子次世代布局，轉型為AI基礎建設重要的合作夥伴，未來數年營收與獲利成長結構十分樂觀，給予「強力買進」評等，目標價由130元調升至185元