英特爾ZAM技術 力積電就是代工廠 英特爾 Z-Angle Memory（ZAM）技術已接近完成階段，並正全力投入 AI 市場浪潮，試圖挑戰 HBM 作為高頻寬記憶體主流方案的地位 作為高頻寬、高容量市場的重要創新，ZAM 正在記憶體產業引發高度關注。這項技術由 力積電、英特爾與軟銀（SoftBank）共同開發，目標是提供低功耗、高密度的解決方案，以取代 HBM。 非常大的轉型潛力與卡位機會。特別是在 ZAM 記憶體 的發展上，力積電不只有機會，更已經被市場證實扮演了關鍵的「製造與試產樞紐」角色。隨著力積電全面轉型「3D AI 代工」，這項新技術將成為其打破台積電 CoWoS 壟斷、走出次級替代品定位的絕佳轉機。我們可以從以下三個維度，來剖析力積電的勝算與卡位機會：1. ZAM 記憶體的實質利多：擔綱製造樞紐美日台策略結盟：ZAM 記憶體是由英特爾、軟銀旗下的 SAIMEMORY 共同開發。在供應鏈分工上，美日團隊負責架構設計，而原型生產與製造大印則直接交給了力積電。3D 晶圓堆疊（WoW）優勢：ZAM 所需的立體斜向電扶梯架構與多層堆疊，非常仰賴成熟的晶圓堆疊技術。力積電的 3D AI-DRAM 代工在「晶圓堆疊（WoW）」上已開始少量出貨，且 4 層堆疊已通過一線客戶認證，這讓力積電在 ZAM 的製程落地上擁有先發優勢。2. XBM 與美光合作的連鎖效應與美光深度綑綁：力積電已將銅鑼廠（P5 廠）出售給美光。表面上是賣廠，但實質上換來了美光的技術協助與長期代工訂單。力積電將在竹科廠區承接美光 HBM 應用的後段晶圓製造代工（PWF）。技術外溢機會：英特爾的 XBM 雖然目前停留在專利與研發階段，但由於它改走 UCIe 小晶片（Chiplet）互連路線，目標正是打破傳統高昂封裝的壁壘。力積電藉由幫美光代工 HBM 後段累積的 3D 封裝經驗，未來極有機會切入 XBM 的晶片組裝與基礎晶片（Base Die）代工生態圈。
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出處 ·同學會