看多
即將突破 看好八月業績與線形，可以多單加碼！
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AI封裝再掀矽電容熱！台廠這檔「純度最高」成新黑馬 愛普純度最高 力積電確認代工 台股部分，愛普產品已分成IPC、Embedded IPD與LSC三線，分別是帶矽電容的中介層、嵌入封裝基板的元件與基板底部電容。公司透露某嵌入基板應用，單一基板需要接近100顆IPD，需求能見度看到2028年，並預估2027年第1季起出貨快速爬升、S-SiCap全年可能數倍成長，占比有機會超越目前約71%的IoTRAM；惟這是管理層展望，不等於已實現營收。 上游則點名力積電(6770)。愛普8月法說確認，已分別與力積電及一家大型OSAT簽長期產能保障協議，鎖定未來3至4年IPD產能，預計支付約5.3億元新台幣與2200萬美元。連力積電銅鑼廠設備遷移造成IPC第3季營收遞延、第4季恢復成長，都成了供應鏈連動的反向驗證。不過兩者商業模式不同：愛普吃的是產品ASP與設計價值，力積電吃的是晶圓製造價值，業績彈性自然有別。來頡(6799)本業為PMIC，與愛普合作開發3DIC與HPC供電新產品，方向直指IVR加SiCap，但公司表示尚無具體內容可報告，宜歸類為前瞻觀察。 法人提醒，愛普並未公布OSAT與基板夥伴名稱，現階段不宜逕自把日月光投控(3711)、欣興(3037)、南電(8046)、景碩(3189)認定為確認供應鏈；國巨(2327)、華新科(2492)受惠的是AI伺服器整體MLCC需求，與SiCap不是同一條線。愛普7月董事會通過GDR案，暫定不超過1500萬股、潛在稀釋率不高於8.43%，也是必須計入的變數。 2026年是矽電容的商業化確認年，2027年才是營收驗證年。當一顆AI加速器的用量從個位數走向數十顆、乃至嵌入式的近百顆，成長公式就會從AI晶片出貨成長，升級為晶片數量、單顆用量與產品高階化的三重相乘。
英特爾ZAM技術 力積電就是代工廠 英特爾 Z-Angle Memory（ZAM）技術已接近完成階段，並正全力投入 AI 市場浪潮，試圖挑戰 HBM 作為高頻寬記憶體主流方案的地位 作為高頻寬、高容量市場的重要創新，ZAM 正在記憶體產業引發高度關注。這項技術由 力積電、英特爾與軟銀（SoftBank）共同開發，目標是提供低功耗、高密度的解決方案，以取代 HBM。 非常大的轉型潛力與卡位機會。特別是在 ZAM 記憶體 的發展上，力積電不只有機會，更已經被市場證實扮演了關鍵的「製造與試產樞紐」角色。隨著力積電全面轉型「3D AI 代工」，這項新技術將成為其打破台積電 CoWoS 壟斷、走出次級替代品定位的絕佳轉機。我們可以從以下三個維度，來剖析力積電的勝算與卡位機會：1. ZAM 記憶體的實質利多：擔綱製造樞紐美日台策略結盟：ZAM 記憶體是由英特爾、軟銀旗下的 SAIMEMORY 共同開發。在供應鏈分工上，美日團隊負責架構設計，而原型生產與製造大印則直接交給了力積電。3D 晶圓堆疊（WoW）優勢：ZAM 所需的立體斜向電扶梯架構與多層堆疊，非常仰賴成熟的晶圓堆疊技術。力積電的 3D AI-DRAM 代工在「晶圓堆疊（WoW）」上已開始少量出貨，且 4 層堆疊已通過一線客戶認證，這讓力積電在 ZAM 的製程落地上擁有先發優勢。2. XBM 與美光合作的連鎖效應與美光深度綑綁：力積電已將銅鑼廠（P5 廠）出售給美光。表面上是賣廠，但實質上換來了美光的技術協助與長期代工訂單。力積電將在竹科廠區承接美光 HBM 應用的後段晶圓製造代工（PWF）。技術外溢機會：英特爾的 XBM 雖然目前停留在專利與研發階段，但由於它改走 UCIe 小晶片（Chiplet）互連路線，目標正是打破傳統高昂封裝的壁壘。力積電藉由幫美光代工 HBM 後段累積的 3D 封裝經驗，未來極有機會切入 XBM 的晶片組裝與基礎晶片（Base Die）代工生態圈。